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为深入贯彻落实科学发展观，引导光伏制造行业加快转型升级，推动我国光伏产业持续健康发展，根据《国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见》（国发[2013]24 号 ）和国家有关法律法规及产业政策，按照优化布局、调整结构、控制总量、鼓励创新、支持应用的原则，制
（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求： （五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《硅多晶》（GB/T12963）2 级品以上要求； 2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；单晶硅片少子寿命大于11μs，电阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分别小于8和6PPMA； 3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和20%； 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%； 5.硅基、CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。 （六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2年内分别不高于3.2%和4.2%，25年内不高于20%；薄膜电池组件衰减率在2年内不高于5%，25年内不高于 20%。 三、资源综合利用及能耗 （一）光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准，严格保护耕地，节约集约用地。 （二）光伏制造项目能耗应满足以下要求： 1.现有多晶硅项目还原电耗小于80千瓦时/千克，综合电耗小于140千瓦时/千克；新建和改扩建项目还原电耗小于60千瓦时/千克，综合电耗小于100千瓦时/千克； |
