目前鑫单晶电池平均效率达到了21.95%，已经是接近22%的量产平均效率。所以说，到2019年底鑫单晶的平均量产效率超过22%，或者是跟直拉单晶的平均量产效率差保持在0.2%和0.3%是很有希望达到的。

除了这样一些效率和功率的这样一些进展以外，这时候无论是单晶、鑫单晶还是多晶，它的光衰，是我们都不能忽略的一个问题。我们自己在控制光衰这块目前取得的一些进展。

大家可以看到就是说三根曲线的对比，就是说红线、黑线是用了所谓的抗光衰工艺，而绿色是没有应用抗光衰工艺的结果，光衰条件是在75度，大约1000小时，这下面的横坐标是1200小时这样的一个结果。实际温度是超过了80度。所以说无论是掺B和掺Ga的，基本上是控制在2%以内，没有用抗光衰工艺的衰减幅度大，目前鑫单晶PERC是沿用多晶抗光衰工艺，当然多晶抗光衰工艺是否符合这样一个产品特性，后续我们会做优化。相信多晶优化的结果在鑫单晶上更优化，效果比多晶更好。

协鑫集成多晶黑硅组件300W+量产  LeTID控制技术已产业化

这是我们在Fraunhofer上的组件，分两步测了LID和LeTID。先把我们的组件做了LID的测试。

然后再把组件做了LeTID的测试。

这是Fraunhofer的测试条件，这个比较严苛，LID用了85度，Le TID用了50度或60度的。LID的组件效果是好的，基本上只有2%—4%的衰减。然后LeTID，85度我们的光衰依然是1.5%左右的衰减。从光衰这块的结果，无论是自己测的长时间的超过一千小时的结果，还是Fraunhofer这样的检测结果，都是完全满足产品的竞争，同时跟单晶的PK中也毫不落下风。所以说这样的一个光衰工艺利用到鑫单晶的PERC电池上，相信也会有满意的结果。

当然，我们刚才前面也说了，目前的抗光衰工艺也不否认，应用在单晶和鑫单晶上面都有少许的损失，应用到多晶上面，是0.2%少许的损失，用在鑫单晶上0.15%的效率损失。相信后面我们效率的提升和工艺的改善，我们有信心控制在0.1%以内，无论是从电池的效率还是这样一个稳定性上面，无论是高效多晶和鑫单晶，目前在协鑫集成都取得了一些比较好、比较稳定的一些结果。

总结一下，多晶黑硅PERC目前量产平均效率达到21%，对应60片组件功率超过300W+，鑫单晶PERC目前量产平均效率达到21.8%，对应72片组件功率370W+。2019年目标，多晶黑硅PERC量产平均效率目标是21.5%，鑫单晶PERC量产平均效率可达到22.2%。多晶PERC的LeTID控制已有产业化技术，鑫单晶需进一步优化。

谢谢大家！