事件：

　　东光微电公布年报，年报显示公司主营收入2.09亿元，同比增长了28.74%，实现利润总额3538万元，同比增长40.04%，同时公布了10年利润分配预案，以2010年12月31日的总股本为基数，向全体股东每10股派现金红利2元（含税）。

　　点评

　　第四季度主营业务收入略下降，国内半导体分立器件市场进入高速成长期。2010年第4季度业绩环比上一季度下降11.31%，同比09年下降22.66%。第4季度业绩下降的主要原因是09第四季度基数较高，但仍属于正常范围以内，随着旺季到来，公司将重新步入增长轨道。CCID预测国内半导体分立器件市场07-11年的增长率为19.1%。国际电子商情网的调查显示，随着风力发电和太阳能发电项目、汽车电子、LED 照明、高清电视、智能手机、轨道交通、 智能电表等行业应用的拉动，中国将成为全球最大的功率器件市场。2009年中国功率器件销售额超过870亿元，2010年预计将在此基础上增长9.89％至956亿元，而到了2011年功率器件在中国市场销售量预计将达全球市场的一半，达到1060亿元。

　　我们认为高端的半导体功率器件产品如MOSFET、IGBT的增速将高于晶闸管和双极型晶体管，公司的VDMOS等产品有广阔的进口替代成长空间。

　　半导体防护器件王者，等待“大防护”市场爆发。公司从98年创建初始，就开始研发和生产半导体防护器件，目前已经是国内通信设备防护器件的领导者，市场占有率第一，近两年都维持在80%左右，客户结构稳定，市场的认可度极高。公司去年防护器件生产线满载运转，产能利用率超过100%。随着今年年底募投项目4英寸生产线的投产，防护器件的生产规模将扩大170%，到那时规模效应会得到更好的体现，因此，我们认为公司防护器件的毛利率将在今后三年内继续保持在55%左右。公司将继续维护好原有通讯市场防护器件市场领先地位，同时，积极开拓应用于智能电网电力设备、高端精密生产设备等新的防护器件领域，做“大防护”市场的领导企业。

　　VDMOS 4寸线技改项目顺利进行，进口替代前景广阔。VDMOS是节能灯、新能源逆变器的关键高端器件，良好的性价比使其成为目前最重要的功率开关器件，在整个半导体器件市场大概占40%份额。由于承担了工信部的新能源500V/30A VDMOS的产品开发项目和公司的IGBT研发项目，VDMOS的产能受到一定的影响，未来如果工信部的项目研发成功，公司的高端VDMOS产品将正式打入国家极力倡导的新能源产业。同时，公司用于其它VDMOS器件生产的产能已经满载，该生产线渡过爬坡期后，产能利用率将加速提升，预计毛利率也会较之前的10%~20%有较大程度的提高。另外，公司2005年从奥地利引进的4英寸线的生产设备更新、替换工作正在顺利进行，生产线的技改完成后，预计VDMOS出货量将比现在增长140%。由于VDMOS的生产技术壁垒较高，目前国内仅有士兰微、华微电子、东光微电等几家公司可以量产VDMOS。公司将继续完善VDMOS的产品规格，改善制造工艺和技术，使产品的性能尽快赶上国际大厂仙童、ST、Vishay的同类产品，实现进口替代。

　　公司的IGBT的研发取得突破，小范围供样客户试用中。IGBT项目一直是公司细心呵护和培育的重点，目前已经取得阶段性的成果，并已开始对几家公司小批量送样，虽然目前还无法给公司贡献利润，但公司在VDMOS研发上的积累的技术优势，为研制IGBT提供了强有力的技术平台支撑，IGBT的应用领域非常广阔，包括电力机车、空调变频、太阳能光伏发电以及UPS通信电源，目前国内还没有自主品牌的IGBT，甚至中小功率的IGBT芯片封装能力都比较欠缺，IGBT主要被日本、欧美企业垄断，我们期待公司的核心IGBT芯片和封装上能取得更大的成功。

　　优化可控硅、1300产品结构，扩建封装线。公司的可控硅器件一直供不应求，目前已进入市场前景广阔家电功率控制领域，毛利率会有提高。1300系列器件方面，由于市场上对已形成规模优势的华微电子等公司的相关产品认可度更高，公司的1300系列产品将会逐渐转向工艺难度更高的电源领域。同时，1300生产线也部分用于生产与IGBT配套使用的FRD（快速恢复二极管），形成公司新的利润增长点。公司放在子公司东晨电子的封装生产线扩建项目将为公司新增6.5亿只的封装产能，基本满足本公司自身的芯片封装需求，为公司节省外协封装成本。

　　首次给与 “审慎推荐”评级。预计2011-2013 年EPS 分别为0.43 元、0.69 元、和1.06 元，按照最新股价23.03 元，对应的PE 分别为53 倍、33 倍和22 倍，我们认为虽然今年整个半导体行业不会有去年30%那么高的增长速度，但是考虑到半导体功率器件近年来加速向中国国内产能转移的态势，随着公司募投项目的投产，我们期待公司业绩未来将有更大的惊喜。