最后看一下看一下多晶、鑫单晶LeTID的结果，上午几位专家都讲述了很不错的研究结果，我们可以看一下光衰的结果。

光衰处理，很明显的光衰衰减情况，在400小时以后就已经衰减很厉害了。上面两根，一根红线，一根绿线虚线的情况下是高效多晶衰减情况，经过1000小时，一千瓦的光照幅度，75度的基础下，可以控制在2%以内的光衰水平。同时，鑫单晶的光衰在同样条件下，是控制在2.5%以内。这里想强调的一点，鑫单晶的光衰条件和高效多晶的光衰条件不一样，我们在工艺上可能是温度更高一点，这个会最终影响光衰的情况。

不管怎么说，大家知道电池的光衰是在一个开路电压状态下来测试的，这种情况下，相比于组件高功率点一个光衰测试，它的衰减是最大的。这样的测试条件，在组件端测试下是更容易通过的，在电池端是最严苛的，能通过的话后续组件的长期表现是没有问题的。鑫单晶室外首年衰减比例的标准，协鑫可以完全满足。

总结一下，目前协鑫集成在多晶黑硅平均量产效率达到21%，60片组件功率超过300瓦，鑫单晶目前是平均效率是21.8%-21.9%，对应72片组件功率在370瓦以上。同时今年多晶PERC黑硅量产目标在21.5%的水平，鑫单晶可以达到22.2%-22.3%的水平。同时多晶PERC光衰有比较成熟的产业化手段。鑫单晶在这个基础上进一步优化，也可以完全达到后续的标准。谢谢各位！