再来看自动分选，刚才很明显灰色主档位的效率基本上接近21.8%、21.9%这样的平均效率，往右边偏移。通过硅片质量的改善，平均效率基本上到21.9%这样的水平。

同时通过第一、第二阶段百万片的生产，在产线工艺控制上，平均良率在第一、第二阶段已经达到95%的平均水平。同时最关键的是，鑫单晶生产过程中，晶花比例在逐渐的下降。在鑫单晶硅片质量得到保证的前提下，进行工艺的改善就是事半功倍的效果。大家可以看到在鑫单晶这样一个多主栅结合高阻密栅工艺改善，目前鑫单晶还没有引入在直拉单晶上使用的SE工艺，仅是多主栅结合高阻密栅，9千片试验结果来看，平均效率到了21.95%。

根据第二阶段成果的改善，我们在第三阶段就可以看到比较明显的效果。在第三阶段，通过700万片电池的生产情况，可以看到产线平均的在右边，平均效率基本上在21.9%左右上下波动，在硅片质量保证前提下，我们的生产工艺能够稳定的改善，在目前情况下，可以做到21.9%左右的量产平均水平。

EL和前期的比较，到了第三阶段，目前最主要鑫单晶的五个问题，就是EL降级比例大概是2%点几，主要就是有个分界线，红色比较规整的分界线，这是目前EL不良最大的比例。前期有所谓的绒丝这样的比例，在目前的鑫单晶生产中比例已经非常小了，比例已经到0.05%，严重不合格绒丝的比例非常小。通过EL结果可以判断目前鑫单晶硅片的质量已经提到一个新的高度。

硅片质量有保证的话，在电池工艺稳定生产情况下，可以看到组件结果，主档位370W以上的比例在70%以上。这个也是我们后续持续改进的一个方向，也同样说明鑫单晶有很大的潜力，最终能够跟直拉单晶PK。

在2019年整年的计划里面，我们有信心鑫单晶电池平均效率会占上21.8%的关口，这样就有底气和直拉单晶进行正面的PK。路线图主要是两方面：第一方面是硅片进一步优化，第二方面是电池工艺进一步改善。目前鑫单晶我们还没有导入直拉单晶普遍的SE工艺，鑫单晶导入SE工艺以及进一步优化，到22.2%，22.3%这个是比较容易实现的目标。