大家可以看到，三年之后，我们在高效多晶的目标是做到22%的平均量产水平。说完高效多晶的情况，可以进入到今天的主要话题，鑫单晶在协鑫集成目前的发展情况。

鑫单晶主要想介绍三个层面：电池、组件以及光衰进展情况。我们可以看到在第一个阶段大概170万片的结果，最开始采用了5BB的工艺，平均效率在21.2%到21.3%左右，同时组件档位功率应该是在305瓦左右的水平。在这样一个鑫单晶的概念上，我们叠加了多主栅，这样的工艺是可以做到接近22%的水平。

大家可以看到，鑫单晶要真正达到量产，主要有五个问题：第一是成本，第二是拖尾，第三是外观的问题，第四个是LeTID，最后是三类片的质量问题。左边这个图灰色的框框，可以看到拖尾的问题影响平均效率。同时可以看到，包括研发的平均量产效率可以做到22%的水平。

鑫单晶基本上是采用单晶高效电池的工艺，但三类片采用湿法黑硅工艺可以比较完美解决表面的外观问题。可以看到，目前三类片的效率不到21%，这只是第一阶段的结果，2019年三类片的平均效率也可以到21%。

再看一下EL的问题，第一阶段红色的圆圈一些缺陷造成了效率偏低的情况，但是这些没问题，我们通过第二、第三阶段可以看到比较明显的改善。

第一阶段在硅片端采取了一些主要的改进措施。大家可以看到第二阶段投入的量增加到300万片以上，同时电池工艺上主要采用多主栅来替代第一阶段5BB的工艺。同时在硅片端，通过自动分选等一些工艺改善，在第二阶段后期平均的效率可以达到21.8%的量产效率，采取的主要措施在硅片端，一个是分选，一个是工艺。